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SUD17N25-165
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
20
20
16
12
8
V GS = 10 thru 6 V
5V
16
12
8
T C = 125 °C
4
4
25 °C
0
4V
0
- 55 °C
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
6
60
50
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
0.32
0.28
0.24
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
40
0.20
125 °C
30
20
0.16
0.12
V GS = 10 V
0.08
10
0.04
0
0.00
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
2800
I D - Drain Current (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2100
C iss
16
V DS = 125 V
I D = 17 A
12
1400
8
700
0
C rss
C oss
4
0
0
40
80
120
160
200
0
8
16
24
32
40
48
56
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72851
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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